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感光器件 提到数码相机,不得不说到就是数码相机的心脏——感光器件。与传统相机相比,传统相机使用“胶卷”作为其记录信息的载体,而数码相机的“胶卷”就是其成像感光器件,而且是与相机一体的,是数码相机的心脏。感光器是数码相机的核心,也是最关键的技术。数码相机的发展道路,可以说就是感光器的发展道路。目前数码相机的核心成像部件大类主要有两种:一种是广泛使用的CCD(电荷藕合)元件;另一种是CMOS(互补金属氧化物导体)器件。 |
| Super CCD HR | ||
由于躁点抑制能力一直是Super CCD的软肋,为此,Super CCD HR最重要的一点变化就是提高了高感光度下CCD的成像质量,而且变化十分明显!众所周知,在高感光度下,CCD成像会产生大量的噪点,严重影响了照片的质量,也使得细节表现不清。另外,目前“小CCD、高像素”的设计也会带来更多此类问题。目前解决这类问题的办法主要是开发更有效的降噪技术,同时以更高速的图像处理芯片配合进行降噪处理。使得成像质量更加细腻。 Super CCD HR与Super CCD SR的区别: ![]() |
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| Super CCD SR II | ||
采用了SR技术之后,拍摄的特点就是提供了比目前感光元件更高的感光动态范围。独立的S像素(即S-pixel)和R像素(即R-pixel)分别为617万个。正常工作情况下,两者的数量比例是一比一,但是摄影师可以根据拍摄的需要调整S象素和R象素的混合比例,这样可以得到不同动态输出范围的图片,也使相机的宽容度在一些意义上是可以自由变化。通过这种混合比例的调节,可以很轻易的模拟出胶片拍摄的效果,并能分别模拟反转片和负片的不同效果。这一点也是这块CCD最大的卖点之一,因为目前许多专业摄影师没有上数码单反的主要原因就是因为现在的数码单反拍摄效果依旧数码感较强,难以取代反转片或者负片的效果。 |
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| Super CCD SR | ||
所谓SR,全称是Super Dynamic Range——译成中文的含义就是超级动态范围。SR的工作原理是将原先单一的感光点分为两部分,用两个独立的光敏二级管同时进行记录。一个主要的感光部分体积较大(即S-pixel),拥有超高的光敏感性和较窄的动态范围;而另一个较小的感光部分(即R-pixel)则和较大的感光部分相反,具有较低的光敏感性和较宽的动态输出范围,虽然它的面积比主要感光部分小很多,但是它的动态输出范围则可以达到较大感光部分的四倍。SuperCCD SR的这个设计理念和一些音箱有些类似,小巧的高音头和粗大的低音单元分别负责不同频率的声音输出。而SuperCCD SR的大小两个感光元素叠加,各展所长得到比一个感光元素更好的画质,原理似乎是类似的道理。但是SuperCCD SR因为在原先一个感光元素的位置里集成了两个感光元素,因此ISO感光度必然也是双倍的,所以现在许多采用SuperCCD SR的机型最低ISO值也高达200。不过在少部分产品上最低ISO值已经到了ISO100。 |
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| Super CCD | ||
SUPER CCD是由富士公司独家推出的,它并没有采用常规正方形二极管,而是使用了一种八边形的二极管,像素是以蜂窝状形式排列,并且单位像素的面积要比传统的CCD大。将像素旋转45度排列的结果是可以缩小对图像拍摄无用的多余空间,光线集中的效率比较高,效率增加之后使感光性、信噪比和动态范围都有所提高。 |
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| Super HAD CCD | ||
随着CCD的单位面积越来越小,1989年开发的微小镜片技术,已经无法再提升感亮度,如果将CCD组件内部放大器的放大倍率提升,将会使杂讯也被提高,画质会受到明显的影响。索尼在CCD技术的研发上又更进一步,将以前使用微小镜片的技术改良,提升光利用率,开发将镜片的形状最优化技术,即索尼 SUPER HAD CCD技术。基本上是以提升光利用效率来提升感亮度的设计,这也为目前的CCD基本技术奠定了基础。 |
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| Live MOS | ||
Live MOS感光器件具有全祯(FFT) CCD的优质的画面素质,同时又有CMOS低功耗的优点。简化的电路使得光电二极管到微透镜的距离缩短,从而保证了优秀的敏感性和大入射角的画面质量。 Live MOS的优点是:简单电路要求和更薄的NMOS结构层,从而提供了更大的感光区域。而且,电路技术的改进提高了感光效率和改进了图象素质。 |
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| CCD | ||
电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一种高感光度的半导体材料制成,能把光线转变成电荷,通过模数转换器芯片转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存,因而可以轻而易举地把数据传输给计算机,并借助于计算机的处理手段,根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成,通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的感光单位所产生的信号加在一起,就构成了一幅完整的画面。 |
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| CMOS | ||
互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带–电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而,CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。 CMOS与CCD的特点: 由两种感光器件的工作原理可以看出,CCD的优势在于成像质量好,但是由于制造工艺复杂,只有少数的厂商能够掌握,所以导致制造成本居高不下,特别是大型CCD,价格非常高昂。 在相同分辨率下,CMOS价格比CCD便宜,但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些。到目前为止,市面上绝大多数的消费级别以及高端数码相机都使用CCD作为感应器;CMOS感应器则作为低端产品应用于一些摄像头上,若有哪家摄像头厂商生产的摄像头使用CCD感应器,厂商一定会不遗余力地以其作为卖点大肆宣传,甚至冠以“数码相机”之名。一时间,是否具有CCD感应器变成了人们判断数码相机档次的标准之一。 CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电,不像由二极管组成的CCD,CMOS 电路几乎没有静态电量消耗,只有在电路接通时才有电量的消耗。这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右,这有助于改善人们心目中数码相机是"电老虎"的不良印象。CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而过热。暗电流抑制得好就问题不大,如果抑制得不好就十分容易出现杂点。 此外,CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别。例如,如果分辨率为300万像素,那么CCD传感器可连续扫描300万个电荷,扫描的方法非常简单,就好像把水桶从一个人传给另一个人,并且只有在最后一个数据扫描完成之后才能将信号放大。CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器。因此,CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大,采用这种方法可节省任何无效的传输操作,所以只需少量能量消耗就可以进行快速数据扫描,同时噪音也有所降低。这就是佳能的像素内电荷完全转送技术。 |
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| LBCAST | ||
LBCAST JFET图像传感器(Lateral Buried Charge Accumulator and Sensing Transistor array Junction Field Effect Transistor)。可以说是CCD与CMOS技术优势融合的产物,充分体现了CMOS低耗电量和CCD高速数据读取的优势,尺寸为23.3mm×15.5mm,对角线长28.4mm,总像素数为426万(2560×1664),有效像素数为410万,像素间隔为9.4μm。 |
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| FOVEON X3 | ||
这是一种用单像素提供三原色的CMOS图像感光器技术。与传统的单像素提供单原色的CCD/CMOS感光器技术不同,X3技术的感光器与银盐彩色胶片相似,由三层感光元素垂直叠在一起。Foveon声称同等像素的X3图像感光器比传统CCD锐利两倍,提供更丰富的彩色还原度以及避免采用Bayer Pattern传统感光器所特有的色彩干扰。另外,由于每个像素提供完整的三原色信息,把色彩信号组合成图像文件的过程简单很多,降低了对图像处理的计算要求。采用CMOS半导体工艺的X3图像感光器耗电比传统CCD小。 |
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感光器件
提到数码相机,不得不说到就是数码相机的心脏——感光器件。与传统相机相比,传统相机使用“胶卷”作为其记录信息的载体,而数码相机的“胶卷”就是其成像感光器件,而且是与相机一体的,是数码相机的心脏。感光器是数码相机的核心,也是最关键的技术。数码相机的发展道路,可以说就是感光器的发展道路。目前数码相机的核心成像部件大类主要有两种:一种是广泛使用的CCD(电荷藕合)元件;另一种是CMOS(互补金属氧化物导体)器件。 Super CCD HR Super CCD HR与Super CCD SR的区别: Super CCD SR Super CCD Super HAD CCD Live MOS 全新的感光器件具有更大的感光面积性能更好。 CCD CMOS LBCAST
1 JFET和MOSFET 场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET,由于其栅极为金属铝故通常又称为MOSFET),具有输入阻抗高、噪声低、功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点。它们的区别在于导电机构和电流控制原理根本不同,JFET是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以控制漏极电流;MOSFET则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟来控制电流。它们性质的差异是:JFET往往运用在功放输入级(前级),MOSFET则用在功放末级(输出级)。但是在有些工作条件下,MOSFET的输入电阻不够高,难以满足要求,而且在高温工作时,因PN结反向电流增大,其阻值会显著下降,漏极电流也较大。 2 LBCAST JFET的特点 在追求高带宽、低功耗的图像传感器竞争中,CMOS图像传感器在设计中展现出比CCD更优势的特点:尺寸小、系统成本低,在确何产品品质的前提下功耗也低。但噪声成为CMOS成功路上最大的障碍,将导致图像质量的下降。这也是噪声问题必须得以解决的原因之一。而LBCAST JFET有着众多优点,这除了与放大器采用JFET有关外,还与其内部结构及工作特点有关。 2.1 LBCAST JFET的读数方式 目前CCD和CMOS常用的读数方式:顺序电荷转移方式与X-Y导址和传输方式。图1(a)为传统Interline CCD图像传感器通常采用的顺序电荷转移方式由光信号转换成的电信号首先被传送到列转移寄存器,最后再输出到图像处理单元,因此速度受到限制。此外从理论上讲,由于顺序电荷转移方式需要连续、高速的驱动转换寄存器,这就需要较多的电功率。图1(b)为CMOS图像传感器通常使用的X-Y寻址和传输方式,在这种方式中,每一个像素都有自己的放大器,通过列扫描和行扫描来传递信号,并输出给图像处理单元。它有独立的数据传输线路,因此能达到很高的速度,但是如果仔细观察其输出图像,就能够发现在分开的线上容易出现图像失真。
JFET图像传感器亦采用X-Y寻址和传输方式,数据通过两条信号线按不同的颜色读出,这样一来读取图像的速度更快,同时具有可以随意提取高密度像素数据的优点。JFET图像传感器的数据分配线用颜色的方法(绿、蓝和红)代替了用区域的方式,在提高操作速度的同时也提高了图像质量,解决了输出图像在分开的线上容易再现失真这一问题。 JFET图像传感器根据颜色分离信号源;所有的绿色信号通过一条线输出,而所有的蓝色和红色信号通过另外一条线输出,这样可以使图像不受输出放大器波动的影响,确保了图像质量。由于人眼对绿色特别敏感,因此绿色信号线只处理绿色信号,而且在图像锐化和设置图像对比度的绿色也特别重要。在读第一行数据时,应用列左边的数据线(上面输出G信号,下面输出B信号),再接着读第二行数据,此时应用列右边的数据线(上面输出G信号,下面输出R信号),依次继续进行(图2),那么可以看到R:G:B比率是1:2:1,通常彩色滤波器的比率也是基于这个原理设计的。 2.2 JFET的功能 LBCAST JFET中提取像素数据的晶体管是JFET,且每个像素中都包含一对电荷积累部分(即感光元件)与检测放大用的JFET晶体管,可实现光电转换、存储和放大。而CMOS图像传感器中的放大器是MOSFET放大器。在照相机快门关闭是一刹所光接收结束,用于转移的MOSFET栅极打开,同时所有存储的电荷被转移到JFET栅极。此外,JFET栅极就相当于量杯,通过JFET可以读出有多少光荷被转移到这个“杯子”中。JFET栅极电压随着从光电二极管转移来的电荷而升高。此时JFET使得信号电压相应升高,并将其作为列信号线读取的数据输出。在图像信号读出以后,JFET栅极会送电荷给MOSFET使其复位,这样就可以控制JFET栅极的开与关。换句话说,JFET的功能就好比是像素开关,当需要读取信号时将其闭合即可。与CMOS图像传感器相比,JFET的路径简化很多,这样使使得速度极大提高、可靠性增强、次品率降低。 2.3 内部结构特点分析 在LBCAST JFET中,由于电荷积累部分采用横向嵌入方式,因此,JFET成为夹在Gate(开关)当中的通道构造,成为理想的增幅放大元件,和CMOS相比具有更高的灵敏度和更低的噪声。 首先,对于一个给定的信号,LBCAST使用量杯虽然较小,却提供了一个比较大的电压增量和高的分辨率。其次,在CMOS图像传感器中,信号是经过沟道到硅的表面;而在LBCAST中,信号的传输是通过内部沟道,因此大噪声几乎降低到以前水平的1/3,同时暗电流特别小,可以有效抑制暗噪声。另一方面,像素信号双通道同时提取,可以实现高速处理。在结构方面,LBCAST摄像像素的布线构造比CMOS少一个金属层,同时布线密度也比较低,层间连接孔也比较少。由此实现了结构简单、制造故障少、成品率高等目标。
JFET传感器像素选择开关由3个晶体管组成:转移、JFET和复位。而CMOS传感器则由4个晶体管组成,第4个晶体管用做像素选择。因此LBCAST有着比CMOS简单的结构,较高的效率,并且因为单位面积的光电二极管可以增加,也就提高了其功能性。内部连线(包括非透明层)结构也很简单,适合于一个多晶硅层和2个材料层。而CMOS在组成上的设计却包括四层。需要的层数越少,光电二极管与微透镜的距离就越短,通过BPD(Burie d PhotoDiode)、内部FPN(Fixed Pattern Noise)等技术,LBCCAST传感器可有效降低暗光线下拍摄的图像噪声。它类似于CMOS的双通道读取方式可提高数据读出速率,非常贴近光敏单元的微透镜在提高光效率同时有效改善了画面中央和边角的一致性。LBCAST JFET像素结构图如图3所示,LBCAST JFET像素剖面图如图4所示。 3 结束语 新开发的LBCAST JFET传感器的主要目标是重视“速度”。它的总像素并非很高,仅有400万。因此Nikon将应用于LBCAST JFET图像传感器的D2H照相机定位于新闻报道与体育摄影等方面。 LBCAST和CMOS相比具有更高灵敏度和低噪音效果,并且结构简单、制造故障少、成品率高。由于它结构简单,因此可以采用与CMOS相同的制造工艺,预计将来制造成本可以大幅度降低,应用前景十分看好。 FOVEON X3 根据Foveon专利描述,硅片对光线的吸收与光谱和硅片深度有关。其中蓝色光在离硅片表面0.2微米开始被吸收,绿色光在离硅片表面0.6微米被吸收,红色光在离硅片表面2微米被吸收。这种光线吸收个性于银盐彩色胶片的感色涂层是相同的。这个现象曾被其他人注意到,包括Kodak在七十年代申请的一项专利,但都没有技术实现。
Foveon公布了两个感光器元件,F7-35X3-A25B和F10-14X3-D08A。技术指标分别为:
F7-35X3-A25B已经有产品,F10-14X3-D08A在2002年4月有样品。感光器元件由Foveon主要投资者之一的National Semiconductor公司生产。Foveon向数码相机厂家提供F7-RDK参考设计系统,包括感光器,软件,以及一台使用F7的参考相机。 Foveon公司1997年在美国加州硅谷成立,由著名固体物理电子和VLSI设计专家加州理工学院Carver Mead教授创建。公司名字源自fovea centralis(视网膜中央凹,即视线最尖锐地区)。 Foveon曾经出产过用分色镜将光线折射到三片单色感光器的数码相机(与高档数码摄像机原理相同),并声称售出了数百台价格在两万多美元使用Canon EF镜头的相机。此外该公司还于Hasselblad合作生产用于Hasselblad中幅相机的数码后背。
基于Sigma SA-9单反机身(使用Sigma镜头接口),感光器尺寸20.7 x 13.8mm,有效像素2268 x 1512 x 3 (343万像素) ,焦距系数1.7倍,预计售价3000美元。
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| ·连拍功能 | ·近拍距离 |
| ·防抖类型 | ·等效感光度 |
| ·外接闪光灯 | ·防抖功能 |
| ·录音功能 | ·三脚架螺孔 |
| ·重量 | ·闪光灯距离 |
| ·测光方式 | ·随机存储卡容 |
| ·最大像素数 | ·镜头性能 |
| ·显示屏类型 | ·产品类型 |
| ·闪光灯 | ·曝光模式 |
| ·颜色 | ·数据接口类型 |
| ·白平衡调节 | ·菜单语言 |
| ·有效像素数 | ·特殊功能 |
| ·宽度 | ·外接电源 |
| ·附带软件 | ·广角镜头 |
| ·对焦范围 | ·光学变焦倍数 |
| ·数字变焦倍数 | ·自拍功能 |
| ·MPEG-4 | ·长度 |
| ·对焦方式 | ·图像格式 |
| ·高度 | ·短片拍摄功能 |
| ·感光器件 | ·曝光补偿 |
| ·快门速度 | ·旋转液晶屏 |
| ·兼容操作系统 | ·相当于35m |
| ·光圈范围 | ·电源使用时间 |
| ·视频输出 | ·场景模式 |
| ·存储介质 | ·电池类型 |
| ·快门类型 | ·感光器件尺寸 |
| ·图像分辨率 | ·最高分辨率 |
| ·显示屏尺寸 | ·遥控功能 |
| ·其他附件 |